為什么在伺服驅(qū)動(dòng)器中SiC碳化硅MOSFET逐步取代IGBT！使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅伺服驅(qū)動(dòng)器！-傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT伺服驅(qū)動(dòng)器，實(shí)現(xiàn)更高的伺服驅(qū)動(dòng)器性能和效率！更小的伺服驅(qū)動(dòng)體積和重量！更低的伺服驅(qū)動(dòng)器成本！隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體?SiC碳化硅MOSFET！基本半導(dǎo)體的SiC碳化硅功率器件戰(zhàn)略能夠滿(mǎn)足所有關(guān)鍵因素的要求：BASiCSEMI基本半導(dǎo)體多樣化的晶圓和采購(gòu)網(wǎng)絡(luò)（BASiCSEMI基本半導(dǎo)體自有晶圓廠(chǎng)及與代工廠(chǎng)相結(jié)合，BASiCSEMI基本半導(dǎo)體自有封裝廠(chǎng)與代工相結(jié)合）、BASiCSEMI基本半導(dǎo)體一流的平面柵器件B3M及更新的溝槽器件（研發(fā)中）、BASiCSEMI基本半導(dǎo)體... [詳細(xì)介紹]